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Technologie der Zukunft
Die einzigartige und innovative Architektur der Flash-Speicher 3D V-NAND ist ein Durchbruch, der die Leistungs- und Ausdauer-Einschränkungen der heutigen konventionellen NAND-Architektur überwindet. Die Speicherzellen sind in bis zu 32 Schichten gestapelt und somit ist die Dichte der Speicherzellen deutlich erhöht, was unter anderem mehr Speicherplatz bei geringeren Kosten bedeutet.
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Erreichen Sie das Maximum
Erzielen Sie mit der Technologie TurboWrite die maximale Leistung bei Lese- und Schreib-Geschwindigkeiten und erhöhen somit die Leistung Ihres Computers auf das Maximum. Die 850 EVO bietet mit einer Lesegeschwindigkeit von bis zu 540MB/s und einer Schreibgeschwindigkeit von bis zu 520MB/s eine Spitzen-Leistung in der Preisklasse.
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Schalten Sie auf höhere Geschwindigkeitsstufen um
Nutzen Sie die neueste Software Samsung Magican und aktivieren den RAPID-Modus, der den vom Computer ungenutzten Speicher (DRAM) als Speichercache verwendet.
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Ausdauer und Zuverlässigkeit unterstützt von der Technologie 3D-V-NAND
Die Disk schafft es im Vergleich zu der vorherigen Generation die Gesamtzahl der beschriebenen Bytes zu verdoppeln (Total Bytes Written - TBW), und gerade das verleiht der Disk eine garantierte Beständigkeit, die zusätzlich durch eine fünfjährige Garantie unterstützt wird.