Intel SSD DC S3700 200 GB

Intel SSD DC S3700 vereint hervorragende Leistung mit hoher Beständigkeit und starke Datensicherheit. Es ist der ideale Speicherplatz für Datenzentren, die eine sofortige, hohe und konstante Informationen zugänglich zu machen.

Hohe und gleichbleibende Leistung

Drives Intel DC S3700 übertragen Daten mit extrem hoher Verarbeitungsgeschwindigkeit und geringer Latenz dauerhaft und den kleinen IOPS. Beim Lesen von 4-KB-Block bietet die Leistung von bis zu 75.000 IOPS, mit Einschreibung höchstens 32.000 IOPS. Mit minimaler Varianz und mit niedriger Latenz eine gleichbleibende maximale Antwort zu jeder Zeit zur Verfügung zu stellen. Setzen Sie dieses zusammen mit niedrigem Stromverbrauch, zu einem idealen Partner für Rechenzentrums-Anwendungen sofort.

Maximale Datensicherheit

Komplette End-to-End-Schutz sichert Daten aus dem Moment, als er bis zum Zeitpunkt seiner Platz mehr in die Festplatte. Festplatten nutzt fortschrittliche Fehlerkorrekturschema, das die Datenintegrität gewährleistet. Mit seiner Hilfe verhindern die Beschädigung von Daten im NAND-Speicher, SRAM und DRAM. Es schützt auch die Daten auch während des Transports, durch verschiedene Techniken, wie zum Beispiel Paritätsprüfungen, durch zyklische Redundanzprüfung (CRC) und LBA Verification Tag.
Sobald der Fehler erkannt wird, wird er sofort den Versuch, sie zu reparieren initiiert. In dem Fall, dass es ein nicht behebbarer Fehler an den Benutzer gemeldet. Die Scheibe enthält auch ausreichend Ersatzspeicher, die für die temporäre Speicherung von Daten verwendet wird, und minimiert das Verlustpotenzial.
Intel SSD DC S3700 unterstützt die 256-Bit-Verschlüsselungsalgorithmus AES (Advanced Encryption Standard) für maximale Sicherheit der Daten vor Diebstahl oder Manipulation von deren Inhalten.
Es gibt auch ein System zur Verringerung eines möglichen Datenverlustes aufgrund von unvorhergesehenen Stromausfällen. Es wird die automatische Sicherung aller Daten aus dem Cache vor dem Herunterfahren des Laufwerks basiert.

Hohe Belastbarkeit Technologie

Antriebssystem nutzt eine fortschrittliche Speicherzellen mit hoher Endurance Technologie (HET). Mit seiner Hilfe übernimmt die Vorteile der SSD Single- Level-Cell (SLC) und überträgt sie auf die Herstellung von billigeren MLC. Der Einsatz von Technologie HET so können Sie jeden Tag im ganzen 10x Rewrite (DWPD) fahren und auch Sie ein Minimum 5 Jahre des Lebens gesichert haben.
Technische Daten:
Technologie:
Intel 25nm-NAND-Flash-
Hohe Endurance Technologie (HET) Multi-Level Cell (MLC)
Geschwindigkeit:
Random Lese- / Schreib 4 KB: 75.000 / 32.000 IOPS
Sequential Read / Write: 500/365 MB / s
Die Latenzzeit von Schreib- / Lese: 50/65 Mikro
MTBF:
2.000.000 Stunden