DC S3700 Intel SSD 400 GB

IDie Intel DC S3700 SSD kombiniert hervorragende Leistung mit hoher Haltbarkeit und starker Datensicherheit. Sie ist ein ideales Speichermedium für Rechenzentren und bietet einen sofortigen, schnellen und konsistenten Datenzugriff.

Hohe und dauerhafte Leistung

Die DC S3700-Laufwerke übertragen Daten extrem schnell, mit geringer Latenz und IOPS-Streuung. Beim Lesen oder Schreiben eines 4KB-Blocks bietet das Laufwerk eine Leistung von bis zu 75.000 IOPS bzw. 36.000 IOPS. Seine bemerkenswert geringe Leistungsstreuung und Latenz bieten jederzeit zu jedem Zeitpunkt eine konsistente Reaktion. Durch den geringen Stromverbrauch ist sie ein idealer Speicher für Anwendungen in Rechenzentren.

Maximale Datensicherheit

Der vollständige End-to-End-Schutz schützt die Daten von dem Zeitpunkt an, an dem sie auf der Festplatte gespeichert sind und bis sie wieder entfernt werden. Das Laufwerk verwendet ein erweitertes Fehlerkorrekturschema, das die Datenintegrität gewährleistet. Das Schema hilft, die Beschädigung von Daten in NAND, SRAM und DRAM zu verhindern. Das Laufwerk schützt außerdem Daten während der Übertragung mit verschiedenen Techniken, wie Paritätsprüfung, zyklischer Redundanzprüfung (CRC) und LBA-Prüfung.
Sobald ein Fehler erkannt wurde, versucht das Laufwerk diesen sofort zu reparieren. Falls der Fehler nicht behoben werden kann, wird er dem Host gemeldet. Die Platte enthält außerdem viel Ersatzspeicher, der für die temporäre Datenspeicherung verwendet wird, um den potentiellen Verlust zu verringern.
Intel SSD DC S3700 unterstützt den 256-Bit-Verschlüsselungsalgorithmus AES (Advanced Encryption Standard) für maximale Sicherheit der Daten vor Diebstahl und unberechtigter Manipulation.
Es gibt auch ein System zur Verringerung potenzieller Datenverluste, die durch unvorhersehbare Stromausfälle verursacht werden. Das System arbeitet auf der Grundlage, dass alle Daten im Puffer automatisch gesichert werden, bevor die SSD ausgeschaltet wird.

High Endurance Technology

Die SSD verwendet das fortschrittliche High Endurance Technology (HET) -Speichersystem. Damit übernimmt es die Vorteile von Single-Layer-SSDs (SLCs) und überträgt diese auf kostengünstigere MLCs. Mit der HET-Technologie kann das Laufwerk täglich 10x überschrieben werden (DWPD)  und hat eine Mindestlebensdauer von 5 Jahren.
Parameter und Spezifikationen:
Technologie:
Intel 25nm NAND-Flash
Endurance High Technology (HET) Multi-Level Cell (MLC)
Geschwindigkeit:
Random Lesen/Schreiben 4K: 75 000/36 000 IOPS
Sequenzielles Lesen/Schreiben: 500/460 MB/s
Latenzzeit beim Lesen/Schreiben: 50/65 Mikrosekunden

MTBF:
Mittlere Zeit zwischen dem Auftreten von Fehlern - Mean time between failure (MTBF): 2 000 000 Stunden.000.000 Stunden